【简讯】AMD Vega Nano现身；金立手机总部将裁员50%…

据最新的爆料显示，在挖矿热潮逐渐冷却之后，AMD的Vega产品线终于“喘过气来”准备出新了，剑指RX Vega Nano。

外媒回忆，早在2017年8月，AMD全球产品营销高级主管Chris Hook就拿出了一张被认为是Vega Nano的原型产品，也许因为后来挖矿造成Vega 56/64供不应求，导致新“小钢炮”无奈搁置。

最近，Reddit上的一些硬件爱好者发现，蓝宝的Nitro Pulse用的就是Vega Nano的PCB，一个猜测是，因为Vega 56 GPU量不足，所以AMD就秘密把Vega Nano的核心出货给蓝宝。

由于PCB极短，蓝宝为了掩人耳目，还把显卡故意加长，只是中置的外部供电结构和背部的空位还是暴露了。

规格上，Vega Nano依然集成了8GB HBM2显存，考虑散热问题，其主频可能会削减。

4月份的手机发布会开始进入快节奏，传言小米也将搭上这班列车，在4月底或5月初推出新机小米6X，国际版称为A2。

此前，型号M1804D2SE/M1804D2SC的疑似小米6X已经在工信部入网，官方参数显示其拥有最高6GB+128GB的配置，所以，定位高于红米Note5。

大家关心的处理器方面消息颇多，包括骁龙626、骁龙660、澎湃等等，不过荷兰媒体爆料称，小米6X其实用的是联发科P60。

对此，XDA主编MishaalRahman强调，小米6X用联发科处理器是错误的消息。虽然他没有给出具体的名称，但起码对于那些联发科无爱用户来说，可以放心了。

此前，Rahman曾通过挖掘固件列出了小米6X的摄像头CMOS信息，其中背部主摄是索尼IMX 486（像素尺寸1.25微米），副摄IMX376，前置IMX376，所以像素组合就是前置2000万像素，后置1200万+2000万像素，差不多是印度版红米Note5 Pro的加强版。

相比三星、东芝、美光等公司，中国现在DRAM内存、NAND闪存技术上要落后多年，不过中国的科研人员也一直在追赶最新一代技术，前不久有报道称中国投资130亿元开建PCM相变内存，性能是普通存储芯片的1000倍。

现在，更厉害的来了——复旦大学微电子学院教授张卫、周鹏带领的团队研发了一种新的二维非易失性存储芯片，他们使用了半导体结构，研发的存储芯片性能优秀，是传统二维存储芯片的100万倍，而且性能更长，刷新时间是内存的156倍，也就是说具备更强的耐用性。

根据他们发表在《自然·纳米技术》杂志上的论文来看，他们研发的存储芯片使用的不是传统芯片的场效应管原理，因为后者在物理尺寸逐渐缩小的情况下会遇到量子效应干扰，所以张卫、周鹏团队使用的是半浮栅极（semi-floating gate）晶体管技术，他们据此展示一种具有范德·瓦尔斯异质结构的近非易失性半浮栅极结构，这种新型的存储芯片具备优异的性能及耐用性。

具体来说，与DRAM内存相比，它的数据刷新时间是前者的156倍，也就是能保存更长时间的数据，同时具备纳秒（ns）级的写入速度，与传统二维材料相比其速度快了100万倍。所以这种新型内存有望缩小传统内存与闪存之间的差距。

这个技术进展还是很不错的，只是别指望技术很快量产，更不可能在未来两三年内进入市场，但凡同时具备DRAM、NAND优点的新型存储芯片都有这个问题，并没有成熟到量产上市的地步，传统内存、闪存还有很长的寿命。

对于三星手机来说，他们目前在中国手机市场的还是继续努力，毕竟国产手机太过于强势，以至于它跟苹果的日子都不太好过。

据《韩国先驱报》援引市场调研机构Strategy Analytics的报告数据，2017年Q4三星手机中国市场份额已经不足1%，而很早之前他们曾是这个市场的第一。

对于出现这样的情况，Strategy Analytics给出的说法是，华为、OPPO、vivo和小米等国产手机集体努力的结果，这四大品牌基本垄断了中国市场份额。

跟三星一样，苹果在中国市场也过的不如意，虽说他们现在排在前五，但是iPhone销量频频被冲击，特别是竞争对手已经将目标放在高端智能手机市场领域。

据产业链透露，为了重振中国市场的份额，苹果和三星都在积极的准备新机，而他们预计会在今年下半年跟大家见面。

虽然说这几年Intel处理器在消费级领域进步缓慢，但是在服务器和数据中心市场上，Intel还是很卖力的，而且接下来会更卖力。日前，Power Stamp Alliance(PSA)联盟泄露了Intel下两代Xeon平台的一些情况。

Intel现在的Xeon可扩展平台(划分铂金/金牌/银牌/铜牌)基于14nm Skylake架构，最多28个核心，而今年将推出的下一代产品架构升级为Cascade Lake(Kaby Lake/Coffee Lake太马甲直接跳过)，Intel此前也公开预告过。

不出意外的话，Cascade Lake平台将采用10nm工艺，而据PSA联盟的曝料，它将延续现在的LGA3647封装接口，保持向下兼容，热设计功耗最高控制在165W。 

再往后的架构就是Ice Lake，基于第二代10nm+工艺，发布时间写着2018/2019(要是今年底也太快了)，而封装接口改为LGA4189，通过转接器向下兼容，热设计功耗最高达230W。

4189个触点/针脚将使之成为有史以来最庞大的处理器接口，相比于LGA3647多出近15％。

这么多触点/针脚显然是为更多更强功能准备的，比如DDR4内存支持将从六通道升级到八通道，每路可以搭配16条内存，另外还有可能集成OmniPath高速通道和板载FPGA。

因供应商欠款和资金链紧张，前不久，金立手机对金立工业园的部分员工通过协商解除劳动合同。

据悉，金立工业园只保留50%左右的员工继续生产，保证生产线的正常运转，同时也有ODM厂商协助生产金立手机，为金立在国内与海外的订单供货。

今天，有媒体报道称，继金立工业园裁员50%后，金立总部也将裁员50%。主要留下的人员为金立公司核心骨干以及重要级别管理人员。金立方面确认了此消息，称将对员工按N+1进行补偿。金立方面表示，与员工解约是以平等自愿为原则，并非强迫行为。

此前，金立官方曾发布声明，裁员是金立自救的系列措施之一，公司董事会和经营班子对金立的重组充满信心，恳请多给一点时间度过这个难关。