继续增产，美光新厂宣布将于年底量产1Znm LPDDR4，同时还将扩大投资

6月11日，美光科技（Micron Technology）为广岛工厂新建的B2楼举行了竣工仪式，庆祝DRAM技术核心基地“Micron Advanced Technology DRAM center of excellence”的扩建，预计将在2019年底量产1Znm LPDDR4。

与此同时，美光还计划进行第二阶段投资，将建设F栋制造工厂，用于量产1Znm工艺之后的1α、1βnm技术。

B2栋为4层建筑，部分清洁室在3楼，其余楼层用于工厂运转，采用全自动搬运设备（FOUP），按照一定的工程设置，晶圆可以自动投入到160台半导体制造设备中。

美光广岛工厂从2018年开始启动，最初生产的是第二代工艺即1Ynm，随着B2栋新厂竣工后，将在2019下半年增加1Ynm产量，除此之外，预计将在年底启动第3代工艺即1Znm，将用于低功耗的LPDDR4生产。

 

美光在日本广岛，桥本（神奈川）和东京的工厂共雇佣了超过3800名员工。今年在扩建同时计划增加400名工程师，并在今后三年将工程师岗位再增加500人。

至于为什么在日本设立这样的研发和生产据点，美光表示，在日本有很多汽车、电机等产业，以及大量的半导体材料制造厂。除了能灵活应对市场，还能强化与合作伙伴的关系，通过这样的投资，能达到更好的经济效益。

 

竣工后的B2大楼将成为美光公司领先的DRAM研发中心，该中心还将作为预生产线，以帮助新技术快速过渡。通过这次扩建，维持了美光在广岛工厂的晶圆生产能力，未来几年可以将多代先进工艺DRAM转移到这里研发生产，再将先进工艺DRAM的生产技术引入实际的批量生产线。美光利用此基地，将加强技术开发，以实施全球战略路线。

 

美光总裁兼首席执行官Sanjay Mehrotra称，“DRAM技术可以帮助推动在人工智能和机器学习等各种领域的创新。这次扩建是在日本长期投资计划中的一个重要里程碑，是迈向高性能存储技术进一步发展的重要一步。广岛工厂将DRAM的开发和生产集中在一个地方，将成为实施集团全球战略的关键基础，也为美光先进DRAM工艺的发展奠定基础。”

据悉，这座工厂原属于尔必达（Elpida），2013年随着尔必达一起并入美光旗下，美光已订购多台价值数十亿日元的半导体生产设备，准备在这里研发13nm制程的芯片。

在5月份的美光投资者大会上，美光曾表示，在1Znm工艺世代以后还将有1αnm、1βnm、1γnm进行微细化的工艺。美光计划1α、1βnm工艺将部分在广岛工厂的F栋生产，继续对日本工厂进行投资，到目前为止的投资，已累计达数十亿美元。

至于F栋，是美光第二阶段的投资计划，B2栋是第一阶段投资计划，但还未确定具体竣工时间，以及清洁室的建设，将根据今后的技术进展和市场供求平衡的状况等因素进行投资判断。

 

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