欲与英特尔Optane一较高下?SK海力士在相变存储器取得技术进展
据韩媒报道,SK海力士宣布在下一代相变存储器(PRAM)中采用PUC(peri under cell)技术。
PRAM结合了DRAM和NAND Flash的优势。SK海力士团队负责人Lee Hyung-dong表示,该公司已在其PRAM中应用了PUC和一种指定的算法,使产品在性能和成本上具有竞争力。
Lee Hyung-dong表示,该公司的PRAM技术在成本,密度和存储容量方面的竞争力得到了提高。PRAM可用于数据中心和神经形态计算。
PUC技术将外围电路放在存储单元的下方,以减少芯片尺寸,提高生产率。Lee Hyung-dong表示,与10nm以下的存储器相比,PRAM在扩展方面的限制较少。
来源:公开信息
目前,在相变存储器方面,英特尔的Optane技术最为成熟,也是唯一实现产品化的产品,如今英特尔相继售出其存储业务,却唯独留下了Optane技术,可见其对其仍寄予厚望,业内更是认为相变存储更适合在数据中心领域使用。
SK海力士宣布其在相变存储器方面技术进展,意味着其已经在该领域投入了较大的研发资源,虽然目前仍未实现量产,但是也表示其认为该技术有较大的技术前景,后续随着技术日渐成熟,或有希望与英特尔Optane一较高下。
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