三星再次侵权！面临12亿美元罚款

上个月，三星因侵权iPhone设计被裁赔偿苹果公司5.386亿美元。而现在，三星又要因侵权被罚，这次遭侵权的是一所韩国大学。德克萨斯州联邦陪审团判定，三星确实存在侵权行为，其侵权内容为鳍式场效应晶体管（FinFET）技术。

此次因侵犯韩国科学技术院（KAIST）专利，三星需赔偿4亿美元。而由于陪审团认定，三星为蓄意侵权，法官判定采取“三倍赔偿”措施，因此最终罚金为12亿美元。三星之外，高通和格罗方德（GlobalFoudaries）也涉嫌对相同专利造成侵权，但这两家公司逃过了罚款的命运。

FinFET是设计处理器时用到的晶体管，因其闸电极形似鱼鳍（fin）而得此名。这项技术可使单一晶体管有多个闸门打开，提高了小型芯片的性能，同时降低芯片能耗。

在此次诉讼中，三星起初否认使用了FinFET技术，认为使用同类技术只能算一种时下潮流。但文件显示，在英特尔申请了FinFET技术许可后，三星的说法发生了改变。三星仍然否认侵权，但声称FinFET技术为三星与KAIST共同开发。三星表示他们认为FinFET技术专利无效，因此考虑提起上诉。

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