【推仔说新闻】三星量产第五代3D V-NAND闪存

根据快科技最近的消息，三星电子宣布，已经开始批量生产第五代V-NAND 3D堆叠闪存，同时三星表示，新出品的闪存拥有更大的容量和更快的速度。

 

这个闪存采用96层堆叠设计，内部集成了超过850亿个3D TLC CTF闪存存储单元，每单元可保存3比特数据，单Die容量达256Gb(32GB)。

 

并且首次使用了Toggle DDR 4.0接口界面，使得存储与内存之间的数据传输率达到1.4Gbps，比上代64层堆叠提升了4

0％，同时电压从1.8V降至1.2V。

 

数据写入延迟为500微秒，比上代提升30％，而读取信号响应时间也缩短到50微秒。

三星还透露，正在开发1Tb(128GB)容量的QLC V-NAND闪存颗粒。

 

在推仔看来，三星取得的这一个技术突破，对国产颗粒厂商来说并不是一个好消息，而且从文中可以看到，这次量产的单Die 256Gb的颗粒仍然是TLC而非QLC，并且像这种已经开始正式量产化的产品，其寿命一定不会差得离谱。

我们的国产厂商也要加紧积累，争取在堆叠层数上早日突破，不然成本下不去，三星依旧可以通过各种手段控制整个颗粒市场。

关注公众号：拾黑（shiheibook）了解更多

[广告]赞助链接：

四季很好，只要有你，文娱排行榜：https://www.yaopaiming.com/
让资讯触达的更精准有趣：https://www.0xu.cn/