长江存储即将登上美国快闪记忆体峰会，秘密武器3D NAND架构Xtacking将亮相

紫光集团旗下长江存储将在美国一年一度的快闪记忆体高峰会（Flash Memory Summit 2018 ; FMS）上宣布全新的 3D NAND 架构 Xtacking，这是中国在存储领域上，自主研发技术在国际型半导体会议上的首次公布，将由长江存储的首席执行官杨士宁领军宣布。

美国的快闪记忆体高峰会（Flash Memory Summit 2018 ， FMS）即将在 8 月初于美国 Santa Clara 会议中心登场，是一个技术展示的重要国际型场合，国际半导体大厂每年都会在该高峰会上公布和宣示新技术突破发展。今年，中国半导体厂长江存储将首次登上该舞台，展示全新的新技术发展。

长江存储的首席执行官杨士宁计划于 2018 年 8 月 7 日举行的 Flash Memory Summit 2018 上进行演讲，主题为“ Unleashing 3D NAND's Potential with an Innovative Architecture ”，宣布具突破性意义的 3D NAND 架构创新技术 Xtacking 的诞生。

长江存储透露，该技术架构可以增加 NAND I/O 让芯片加速达到 DRAM DDR4 介面的传输速度，让 3D NAND 芯片在存储容量上可以有飞越性地进步，可以快速达到符合业界要求的领先容量标准，进而增加包括消费型SSD（Client SSD）、企业型SSD（enterprise SSD）、UFS 等 NAND 装置的效能，以及智能手机、计算机、云端伺服器等应用带来高效能的解决方案。

据了解， Xtacking 技术架构将会从长江存储下一世代问世的 64 层 3D NAND 技术中开始导入，之后每一世代的 3D NAND 技术都会导入 Xtacking 技术架构。

长江存储有信心指出， Xtacking 技术架构可让新世代 3D NAND 缩短产品问世，且提供客制化 NAND 产品。

长江存储是成立于 2016 年，是紫光集团旗下从事 3D NAND 芯片技术开发和生产的半导体厂，总部和 12 寸晶圆厂为于武汉，成立资金 240 亿美元，第一期晶圆厂完成后，单月产能上看 20 ~ 30 万片，这是中国第一家也是唯一一家参加 3D NAND 技术开发和生产的半导体厂，该公司也整合具有超过十年记忆体技术的武汉新芯。

值得一提的是，长江存储在 2017 年底达到一个具里程碑的目标，就是成功研发 32 层技术的 3D NAND 技术。日前，该公司也引进第一台荷商 ASML 的 193 奈米光刻机，准备头入 3D NAND 快闪记忆体芯片的大规模生产。

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