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迎2021新一年，三星NAND、DRAM、晶圆代工方面有动作！

百家作者：闪存市场 2020-12-30 16:58:23

2020年存储市场发生了很多大事，比如铠侠延迟IPO上市；英特尔彻底与美光结束合作；SK海力士买下英特尔NAND业务；西部数据合并Flash和HDD业务；长江存储发布128层3D NAND；美光和SK海力士突破176层3D NAND技术等等。

无论对于NAND Flash还是DRAM市场而言，都具有重大意义。2020年原厂之间暗潮涌动，作为存储芯片龙头企业的三星，2021年的动向备受关注。

据市场消息称，三星计划2021年将大部分投资用于NAND Flash、晶圆代工等，DRAM则维持2020年的水平，较为保守投资。

内存市场热度不减，三星为何保守投资DRAM？

从12月份开始，内存市场不仅备货需求积极，而且市场DDR颗粒和内存条涨价明显。据中国闪存市场ChinaFlashMarket报价显示，一个多月以来，渠道内存条DDR4 UDIMM 16GB 2666累积涨幅已超过20%；行业内存条DDR4 SODIMM 16GB 2666累积涨幅也已达15.5%。

在全球DRAM市场上，主要是三星、SK海力士、美光主导，且三星市场占有率一直超过40%，而且三星存储器业务结构中，DRAM营收占60%，而NAND Flash营收占40%。就目前市场而言，内存条市场价格涨价明显，且向上行情有望持续，三星DRAM保守投资，可维持稳健的市场供需关系，同时保持业务收益表现。

在DRAM技术方面，2020年三星率先在1Znm工艺节点导入EUV设备，量产16Gb LPDDR5。同时三星也规划将在2021年大量生产基于第四代10nm级（1α）EUV工艺的16Gb DDR5/LPDDR5，相比美光和SK海力士，三星DRAM技术处于领先优势。

在投资方面，三星2020年在平泽P2工厂已投产DRAM，2021年将根据市况灵活调整产能。同时，三星还计划将华城DRAM生产线转为CIS生产线，以期增加20%的CIS产能，满足市场不断增加的市场需求。综合来看，三星在DRAM投资上将会趋于保守。

176层技术节点上被赶超，铠侠加码投资建厂，三星有“危机感”，会重点投资NAND

相较于DRAM，NAND Flash市场竞争更大，三星全球市场占有率一直保持在30%以上，之前主要是三星、铠侠、西部数据、SK海力士、美光、英特尔几家原厂竞争。但是到2020年，长江存储重磅发布128层3D NAND技术，再加上SK海力士收购英特尔之后，市场竞争进一步加剧。

在NAND Flash技术上，三星一直处于领先地位，也是最早在2013年率先量产24层3D NAND。不过，在2020年底，美光、SK海力士公开宣布在176层3D NAND上率先取得突破进展，虽然三星也声称将在2021年量产第七代V-NAND，但依然感受到了来自竞争对手的压力。

在NAND Flash投资上，仅次于三星市场排名的铠侠与西部数据，共同投资的岩手县北上市新工厂K1已在2020上半年开始少量生产，在四日市存储器生产基地北侧，Fab7工厂土地正在动工中，建设将分两个阶段，第一阶段建设计划于2022年春季完成。另外，铠侠还宣布将扩建日本岩手县生产基地，将在现有的K1工厂旁扩建K2厂区，将于2021年春季开始，2022年春季完成。

因此，三星投资自然也不会手软，而且看好新的2021年5G手机和SSD市场前景。据悉，2020年在中国西安的二期第一阶段已投产，并开始新建二期第二阶段项目，将在2021年下半年竣工，同时平泽P2工厂已投资8兆韩元新建NAND Flash产线，计划2021下半年开始量产。