三星NAND Flash产能将大增,西安二期工厂全面运营进入倒计时!

百家 作者:闪存市场 2021-06-25 14:05:59 阅读:442


据媒体报道,三星电子已完成西安二期工厂扩建,预计今年中旬开始西安工厂所有产线全面开始运营。 

 

据悉,三星西安二期工厂月产能约13万片,加上一期约12万的月产能,合计约占三星2020年NAND总产能的一半。

 

三星存储芯片项目2012年落户西安高新区,一期项目于2014年5月竣工投产,总投资108亿美元,建成了三星电子存储芯片项目和封装测试项目;二期项目总投资150亿美元,主要制造闪存芯片,分两个阶段进行,其中第一阶段项目总投资70亿美元;第二阶段投资80亿美元。

 

其中,二期一阶段产线于去年3月举行下线仪式,8月份实现量产,二阶段产线于2019年12月25日正式启动,今年三月份开始导入设备安装。


除了西安工厂,三星也宣布启动平泽P3工厂建设,计划在2021下半年开始采购设备,半导体设备从订购到交付一般大约需要3到6个月,当下设备行业也出现供应紧张的情况,预计交付时间较以往延后,P3工厂在2022年3月有望导入生产设备。


与三星同样豪掷新建工厂的还有铠侠和西部数据,其投资的Fab7和K2工厂已经于2021年春季动工,预计明年上半年完成第一阶段的建设,其中Fab7将支持第六代162层3D NAND技术即BiCS6的生产。



在此缺货之际,当前全球陷入“芯片荒”,业内人士普遍预期,芯片缺货的市况恐将持续到2022年,再加上汽车、5G、AI等带动新应用需求将不断增加,因此三星西安工厂的量产有望加大NAND Flash的供应,缓解市场缺货的困境,同时也应对后续不断增长的市场需求。




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