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传美光考虑在印度组装存储模组；6月国内市场手机出货量同比增长9.2%；三星电子成功开发第二代SmartSSD…

百家作者：闪存市场 2022-07-21 11:08:37

【热点速读】

1、传美光考虑在印度组装存储模组；

2、信通院：6月国内市场手机出货量同比增长9.2%；

3、三星电子成功开发第二代SmartSSD：比传统SSD处理时间减少超50%，功耗降低70%；

4、韩国7月前20天出口同比增加14.5%，贸易逆差超81亿美元；

5、ASML：Q2出货12台EUV光刻机；全年营收成长预期由20%下修至10%；

6、兆易创新推出GD25WDxxK6 SPI NOR Flash产品系列：超小尺寸、超轻薄、宽电压

1、传美光考虑在印度组装存储模组

据外媒报导，匿名消息人士表示，美光将在印度组装存储模组，而且是相当庞大的投资计划，将适用印度推出的封装测试(ATMP)类激励措施。印度在2021年宣布高达100亿美元的高科技激励计划，鼓励发展本土半导体供应链，其中特别将封测列为重点领域之一。

知情人士透露，美光正在研究在印度建厂组装运算存储模组的可能性；为了在印度推动半导体和相关产业的发展，美光已派员前往印度多地勘查，以决定新厂地点。

美光发言人并未透露该公司的印度制造计划细节，只表示会继续评估强化全球制造足迹的机会，并与世界各地政府、合作伙伴、产业公会和顾问，针对一连串主题进行定期接触。

2、信通院：6月国内市场手机出货量同比增长9.2%

中国信通院数据显示，2022年6月，国内市场手机出货量2801.7万部，同比增长9.2%，其中，5G手机2302.7万部，同比增长16.3%，占同期手机出货量的82.2%。2022年1-6月,国内市场手机总体出货量累计1.36亿部，同比下降21.7%，其中，5G手机出货量1.09亿部，同比下降14.5%，占同期手机出货量的80.2%。

2022年6月，智能手机出货量2747.8万部，同比增长9.1%，占同期手机出货量的98.1%。2022年1-6月，智能手机出货量1.34亿部，同比下降21.7%，占同期手机出货量的98.2%。

3、三星电子成功开发第二代SmartSSD：比传统SSD处理时间减少超50%，功耗降低70%

三星电子宣布已成功开发出其开创性的第二代SmartSSD（智能固态硬盘）。

该新款专利计算存储设备，在高性能SSD（固态硬盘）中整合了数据处理功能。不同于传统SSD，三星SmartSSD可直接处理数据，从而最大程度减少CPU（中央处理器）、GPU（图形处理单元）和RAM（随机存取存储器）之间的数据传输。此项技术可避免存储设备和CPU之间，在转移数据时经常出现的瓶颈，继而显著提高系统性能和能源效率。

在计算存储领域，尤其是随着AI、5G/6G和机器学习等下一代技术的发展，数据处理量变得越来越大，SmartSSD的作用越发重要。

利用Arm内核并采用客户开发的相关知识产权（IP）和软件，三星第二代SmartSSD可实现更高效的数据处理。相较于三星传统的数据中心SSD，对数据库进行重度扫描的查询时长可缩短逾50%，功耗降低70%，CPU利用率可高达97%。

4、韩国7月前20天出口同比增加14.5%，贸易逆差超81亿美元

据韩国关税厅（海关）21日发布的初步统计数据，韩国7月前20天出口额同比增加14.5%，为372.45亿美元。开工日数为15.5天，与去年同期持平，日均出口额同比增加14.5%。

按品类来看，半导体（13.2%）、石油制品（109.7%）、钢铁制品（5%）、乘用车（15%）、汽车零部件（10.5%）出口均同比增加，无线通信设备（-12.2%）、精密仪器（-2.4%）、计算机配套设备（-12.1%）、家电（-2.3%）出口减少。

同期韩国贸易收支出现81.02亿美元逆差，逆差规模较去年同期（36.36亿美元）和本月前10天（55.28亿美元）有所增加。鉴于此，韩国贸易收支连续4个月出现逆差的可能性较大。截至本月20日，今年的累计贸易逆差达184.58亿美元。

5、ASML：Q2出货12台EUV光刻机；全年营收成长预期由20%下修至10%

半导体设备制造商ASML公司发布2022年第二季度财报，净销售额为54.31亿欧元，同比增长35%。Q2季度新增订单金额为84.61亿欧元，其中包括54亿欧元的EUV订单，较上一季度的新增订单金额69.77亿欧元环比增长21%。该季度中，ASML公司出货了12台EUV光刻机，比Q1季度的3台大幅增长，之前因为种种原因限制了出货。

ASML将全年营收成长预期由20%下修约为10%。此外，由于预计在2022年剩余时间内快速发货的数量增加其收入将推迟到2023年，约为28亿欧元。考虑到这种延迟营收入账与增加产能相关的额外成本以及某些通膨趋势，预计2022年全年毛利率将在49%至50%之间。

6、兆易创新推出GD25WDxxK6 SPI NOR Flash产品系列：超小尺寸、超轻薄、宽电压

兆易创新日前宣布推出GD25WDxxK6 SPI NOR Flash产品系列，采用1.2mm×1.2mm USON6超小型塑封封装，最大厚度仅为0.4mm，相比于前一代1.5mm×1.5mm USON8封装产品，缩小了高达36%的占板面积，为空间受限的产品提供了更大的设计自由度。

在低功耗设计方面，兆易创新将GD25WDxxK6系列的功耗控制在极低水平内，在待机状态下，电流仅为0.1μA，可显著延长电子设备的电池寿命。

此外，为满足便携式电子产品的存储需求，GD25WDxxK6提供单通道、双通道SPI模式，具有1.65V~3.6V宽电压工作范围，支持512Kb~4Mb不同容量的选择，最高时钟频率可达104MHz，拥有10万次的擦写寿命，数据有效保存期限可达20年，且全系列支持-40℃~85℃, -40℃~105℃, -40℃~125℃温度范围。

目前兆易创新GD25WDxxK6系列中512Kb~1Mb容量产品已全面量产；2Mb~4Mb容量产品可提供样片，预计在8月中旬实现量产。

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