华人胡正明获美国最高技术奖:发明FinFET
据白宫官网报道,美国东部时间22日,2015年美国最高科技奖获奖名单公布,包括9名国家科学奖获得者(National Medal of Science)和8名国家技术和创新奖(National Medal of Technology and Innovation)获得者。其中美籍华人科学家胡正明荣获年度国家技术和创新奖。
胡正明教授是鳍式场效晶体管(FinFET)的发明者,如今三星、台积电能做到14nm/16nm都依赖这项技术。他1947年出生于北京豆芽菜胡同,在台湾长大,后来考入加州大学伯克利分校。
在华为海思麒麟950的发布会上,胡正明教授曾现身VCR,据他介绍,FinFET的两个突破,一是把晶体做薄后解决了漏电问题,二是向上发展,晶片内构从水平变成垂直。
胡认为,FinFET的真正影响是打破了原来英特尔对全世界宣布的将来半导体的限制,这项技术现在仍看不到极限。
2010年后,Bulk CMOS工艺技术在20nm走到尽头,胡教授的FinFET和FD-SOI工艺发明得以使摩尔定律在今天延续传奇。
关注公众号:拾黑(shiheibook)了解更多
[广告]赞助链接:
四季很好,只要有你,文娱排行榜:https://www.yaopaiming.com/
让资讯触达的更精准有趣:https://www.0xu.cn/
关注网络尖刀微信公众号
随时掌握互联网精彩
随时掌握互联网精彩
赞助链接
排名
热点
搜索指数
- 1 青年习近平的“心声” 4939269
- 2 员工一年因迟到被扣20万工资 4936408
- 3 21岁跳江男生胖猫已火化 4867617
- 4 “假日经济”热力十足 4706532
- 5 张家界仿古建筑“开花”引热议 4609880
- 6 男子深山失联十天后自行走出大山 4505671
- 7 上海“拉链式”人墙再次上线 4438395
- 8 嫦娥六号成功发射 4339692
- 9 大理客房五一预定量下降系谣言 4240360
- 10 五一带父母出去旅游有多无助 4160710